SK하이닉스, 美 OCP서 차세대 낸드 스토리지 제품 전략 공개

<사진=SK그룹>

SK하이닉스가 13~16일(현지시간) 미국 캘리포니아주 새너제이(San Jose)에서 진행된 '2025 OCP(Open Compute Project) 글로벌 서밋’ 행사에 참가해 차세대 낸드 스토리지 제품 전략을 발표했다고 27일 밝혔다.

회사는 "AI 추론 시장이 급성장하면서 많은 데이터를 신속하고 효율적으로 처리할 수 있는 낸드 스토리지(Storage, 저장 장치) 제품 수요가 크게 확대되고 있다"며 "이에 당사는 'AIN(에이아이엔, AI-NAND) Family' 라인업을 구축해 AI 시대에 최적화된 설루션 제품으로 고객들의 수요를 충족시키겠다"고 말했다.

SK하이닉스는 행사 둘째 날 진행된 이그제큐티브 세션(Executive Session)에 김천성 부사장(eSSD Product Development 담당)이 발표자로 나서 AIN Family를 소개했다.

AIN Family는 성능(Performance), 대역폭(Bandwidth), 용량(Density) 세 가지 측면에서 각각 최적화된 낸드 설루션 제품들로, 데이터 처리 속도 향상과 저장 용량 극대화를 구현한 제품군이다.

AIN P(Performance)는 대규모 AI 추론 환경에서 발생하는 방대한 데이터 입출력을 효율적으로 처리하는 설루션이다. AI 연산과 스토리지 간 병목 현상을 최소화해 처리 속도와 에너지 효율을 대폭 향상시킨다. 이를 위해 회사는 낸드와 컨트롤러를 새로운 구조로 설계 중이며, 2026년말 샘플 출시 계획이다.

이와 달리 AIN D(Density)는 저전력, 저비용으로 대용량 데이터를 저장하는데 초점을 맞춘 고용량 설루션으로 AI 데이터 보관에 적합하다. 기존 QLC기반 TB(테라바이트)급 SSD보다 용량을 최대 PB(페타바이트)급으로 높이고, SSD의 속도와 HDD의 경제성을 동시에 구현한 중간 계층 스토리지를 목표로 하고 있다.

마지막으로 AIN B(Bandwidth)는 낸드를 적층해 대역폭을 확대한 설루션이다. 이는 'HBFTM'로 불리는 기술을 적용한 회사의 제품명이다.

글로벌 최고 수준의 HBM 개발, 생산 역량을 보유한 SK하이닉스는 AI 추론 확대, LLM 대형화에 따른 메모리 용량 부족 문제를 해결하기 위해 일찍부터 AIN B 연구에 착수했다. 대용량, 저비용의 낸드에 HBM 적층 구조를 결합한 것이 핵심이다. 회사는 AIN B를 HBM과 함께 배치해 용량 문제를 보완하는 구조 등 다양한 활용 방안을 검토하고 있다.

SK하이닉스는 AIN B 생태계 확대를 위해 지난 8월 HBF 표준화 양해각서(MOU)를 체결한 미국 샌디스크와 함께 14일 저녁 OCP 행사장 인근 과학 기술 센터(The Tech Interactive)에서 글로벌 빅테크 관계자들을 초청해 'HBF 나이트(Night)'를 열었다.

국내외 교수진이 참가해 패널 토의로 진행된 이날 행사에는 수십여 명의 업계 주요 아키텍트와 기술진들이 참석했다. 이 곳에서 회사는 낸드 스토리지 제품 혁신을 가속화하기 위한 업계 차원의 협력을 제안했다.

SK하이닉스 안현 개발총괄 사장(CDO, Chief Development Officer)은 “이번 OCP 글로벌 서밋과 HBF Night을 통해 AI 중심으로 급변하는 시장 환경에서 ‘글로벌 AI 메모리 설루션 프로바이더’로 성장한 SK하이닉스의 현재와 미래를 선보일 수 있었다”라며 “차세대 낸드 스토리지에서도 고객과 다양한 파트너와 협력해 AI 메모리 시장의 핵심 플레이어로 올라설 수 있도록 할 것”이라고 전했다.