차 CTO는 "현재의 테크 플랫폼을 적용한 미세 공정은 점차 성능과 용량을 개선하기 어려운 국면에 접어들고 있다"며, "이를 극복하기 위해 10나노 이하에서 구조와 소재, 구성 요소의 혁신을 바탕으로 4F² VG 플랫폼과 3D D램 기술을 준비해 기술적 한계를 돌파하겠다"고 밝혔다. 차 CTO는 4F² VG와 함께 3D D램도 차세대 D램 기술의 핵심 축으로 제시했다. 아울러 구조적 혁신을 넘어, 핵심 소재와 D램 구성 요소 전반에 대한 기술 고도화를 추진해 새로운 성장 동력을 확보하고, 이를 통해 향후 30년간 D램 기술 진화를 지속할 수 있는 기반을 구축하겠다는 계획도 전했다. 이 자리에서 VG와 웨이퍼 본딩 기술을 적용해 D램의 전기적 특성을 확인한 최신 연구 결과도 공개할 예정이다.
회사는 이 곳에 HBM과 고용량 eSSD, LPCAMM2 등 AI 데이터센터와 온디바이스 AI 설루션 핵심 제품들을 전시한다. 아울러 회사가 쌓아온 기술 리더십과 혁신의 발자취를 소개하는 연혁 게시물도 함께 선보인다. 작년에 이어 올해 포럼에도 곽노정 대표이사 사장(CEO, Chief Executive Officer)과 김주선 AI Infra 사장(CMO, Chief Marketing Officer), 안현 개발총괄 사장(CDO, Chief Development Officer), 차선용 미래기술연구원장(CTO, Chief Technology Officer) 등 C레벨 경영진이 직접 참석해 초청 인재들과 교류에 나선다. 안 CDO는 차세대 메모리 기술과 제품 개발 로드맵에 대해 소개할 예정이다
회사 관계자는 "모바일에서 온디바이스 AI를 안정적으로 구현하려면 탑재되는 낸드 솔루션 제품 역시 고성능과 저전력 특성을 고루 갖춰야 한다"며 "AI 워크로드에 최적화된 UFS 4.1 기반 제품을 통해 플래그십 스마트폰 시장에서도 메모리 리더십을 선도하겠다"고 말했다. 최근 온디바이스 AI 수요가 증가하며 기기의 연산 성능과 배터리 효율 간 균형이 중요해지고 있어, 모바일 기기의 얇은 두께와 저전력 특성은 업계 표준으로 자리잡고 있다. 이러한 흐름에 맞춰 회사는 이번 제품의 전력 효율을 이전 세대인 238단 낸드 플래시 기반 제품 대비 7% 개선했다. 모바일 기기의 멀티태스킹 능력을 좌우하는 랜덤(Random) 읽기와 쓰기 속도도 이전 세대 대비 각각 15%, 40% 향상돼 현존하는 UFS4.1 제품에서 세계 최고 성능을 달성했다.
이 과정에서 JEDEC이 정하는 메모리 기술 표준화를 비롯해, HBM과 차세대 메모리 등 300여 건의 특허를 출원·등록했다. 송 TL은 "조만간 고객사가 원하는 특성을 강화한 커스텀 HBM 시대가 본격화할 것이라 생각한다"며 "이는 단순히 제품 성능을 높이는 차원을 넘어, 메모리와 로직(Logic) 반도체 간 경계를 재정의하는 작업"이라고 설명했다. 이와 관련해 송 TL은 HBM과 로직 반도체를 이어주는 베이스 다이(Base-die)에 고속 동작 기능과 LPDDR 등 이종 메모리의 접근을 가능케 해주는 신개념 인터페이스를 도입하고, 메모리 컨트롤러와 전력 제어 기술 등 다양한 기능을 추가할 수 있는 특허를 출원했다. 또, 그는 차세대 HBM 대역폭을 증대시키는 기술을 제안해 제품 성능을 더 끌어 올릴 수 있는 가능성을 높였다. 반도체 산업의 경쟁이 치열해질수록 특허의 중요성은 더욱 커지고 있으며, 이를 확보하는 것은 단순히 SK하이닉스의 이익을 넘어 대한민국의 기술 주권을 지키는 일이라고 생각한다"며 "이번 동탑산업훈장 수상을 통해 그동안 우리가 해온 노력이 절대 헛되지 않았음을 인정받아 매우 뜻깊고 기쁘다.
위원회는 단순한 선언을 넘어, 실행 가능한 과제를 기반으로 그룹 보안 수준을 글로벌 톱 티어로 끌어올릴 계획이다. 그룹 전 계열사를 대상으로 실제 해킹 기술을 활용해 시스템 취약점을 점검하고 보완하는 방식으로 진행되며, 국내외 해킹대회에서 입상한 전문 보안기업이 테스트를 수행한다. 각 관계사의 현재 보안 수준을 정밀 분석하고, 모의 해킹 테스트 결과를 반영해 지능형 학습 기반의 보안 설루션을 확대 도입하는 등 맞춤형 개선 과제를 도출해 곧장 실행에 나선다. 이 밖에도 지능형 지속 위협 대응, 산업 보안, AI 보안 등 최신 보안 기술 투자에도 적극 나설 계획이다
그는 "제조 현장 전반에 AI를 깊숙이 접목해 지속적인 혁신을 추구하고, 궁극적으로는 연구개발, 공급망 관리, 마케팅 등을 아우르는 전사적 가치 사슬 전체를 최적화·지능화해 '지능형 기업'으로 나아갈 것"이라고 포부를 밝혔다. 도 부사장은 "HBM 수요 폭증으로 고객의 요구를 맞추기 쉽지 않은 상황에서, 후공정 및 DT 조직이 협력해 기존 패키지 라인 장비를 활용하는 '하이브리드 생산 시스템'을 구축했다"고 설명했다. 그는 제조 전 영역의 AI 스마트팩토리 완성을 위해서는 "제조 전 영역의 AI 스마트팩토리 완성을 위해서는 실패를 두려워하지 않는 끊임없는 도전과 혁신, 그리고 시행착오를 최소화할 수 있는 치밀함이 필수적"이라고 강조했다. 이번 수상을 계기로 SK하이닉스가 도 부사장의 리더십 하에 AI 기술을 활용한 제조 혁신을 가속화하여 '지능형 기업'으로 도약하고, 글로벌 메모리 시장에서의 초격차 경쟁력을 더욱 강화해 나갈지 귀추가 주목된다.
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