회사는 "온디바이스(On-Device) AI 구현을 위한 데이터 고속 처리 시 발생하는 발열이 스마트폰 성능 저하의 주요 원인이 되고 있다"며, "이번 제품으로 고사양 플래그십(Flagship) 스마트폰의 발열 문제를 해결해 글로벌 고객사들로부터 높은 평가를 받고 있다"고 밝혔다. 최신 플래그십 스마트폰은 모바일 AP(스마트폰, 태블릿 등 모바일 기기에서 두뇌 역할을 하는 반도체 칩) 위에 D램을 적층하는 PoP방식을 적용하고 있다. 하지만 모바일 AP에서 발생한 열이 D램 내부에 누적되면서 전체적인 스마트폰 성능 저하도 함께 야기한다. 향상된 방열 성능은 스마트폰의 성능 개선과 소비전력 절감을 통해 배터리 지속시간, 제품 수명 연장에도 기여한다.

회사는 "세계 최초로 300단 이상 낸드를 QLC 방식으로 구현해 기술적 한계를 다시 한번 돌파했다"며, "현존하는 낸드 제품 중 최고의 집적도를 가진 이 제품으로 글로벌 고객사 인증을 거쳐 내년 상반기부터 AI 데이터센터 시장을 본격 공략하겠다"고 강조했다. 그 결과 이번 제품은 높은 용량과 함께 이전 QLC 제품 대비 크게 향상된 성능을 구현했다. 회사는 우선 PC용 SSD에 321단 낸드를 적용한 후, 데이터센터용 eSSD와 스마트폰용 UFS 제품으로 적용 영역을 확대해 나간다는 전략이다. 더 나아가 낸드 32개를 한번에 적층하는 독자적인 패키지 기술을 바탕으로 기존 대비 2배 높은 집적도를 구현해 AI 서버용 초고용량 eSSD 시장까지 본격 공략할 방침이다

또, 구성원들이 사내 보안망 내에서 안전하게 생성형 AI를 활용하고 업무 특화 서비스를 개발 및 운영하도록 지원하고 있다. 이를 통해 회사는 지난 7월 '비즈(Biz) 특화' 서비스로, ▲장비 보전 에이전트 ▲글로벌 정책·기술 분석 에이전트 ▲HR 제도 에이전트 ▲회의 에이전트 등을 베타 오픈했다. 생성형 AI 로드맵 따라 순차 개발… 에이전트 간 스스로 협업하는 A2A 구현한다. 지난 2023년부터 회사는 ▲네이티브 RAG(자료를 검색하고 답변하는 생성형 AI 답변 방식) + LLM(2023) ▲에이전트 및 작업 도구(2024) ▲에이전틱 AI(2025) ▲에이전트 오케스트레이션(2025) 순서로 AI 서비스를 개발 중이다. 이중 비즈 특화 서비스는 에이전틱 AI 기술이 본격적으로 적용된 서비스로, 회사는 다양한 역할의 에이전트(기획자 에이전트, 개발자 에이전트 등)를 제작하고, 성능을 고도화하는 작업을 거쳤다. 향후 회사는 다양한 에이전트가 협업하는 A2A로 유연하고 단계적인 문제 해결 방식을 도입한다는 계획이다.

성금은 피해지역 복구 등에 쓰이며, 구호 물품은 이재민들의 일상 생활 회복에 지원될 예정이다. 하이세이프티 사업은 SK하이닉스가 재해 발생시 이재민 구호 지원을 목적으로 연 6억원을 출연해 시작한 사업이다. 통신 계열사인 SK텔레콤은 17일부터 이재민 임시 주거시설이 마련된 경상남도 산청군, 충청남도 예산군 등에 스마트폰 충전 부스 및 보조배터리 등 통신 편의 시설을 제공하고, 돗자리, 물티슈 등을 비롯한 구호 물품도 지원 중이다

과학기술정보통신부와 한국산업기술진흥협회가 수여하는 엔지니어상은 산업 현장에서 탁월한 연구개발 성과를 이뤄낸 엔지니어에게 수여되며, 우리나라 기술 경쟁력을 높이는 데 기여한 주역들을 조명하고 있다. 올해로 입사 19년 차를 맞은 손 팀장은 소자 엔지니어로서 다양한 D램 제품의 Peri 트랜지스터 개발을 위해 힘써왔으며, 고성능·저전력·고신뢰성을 요구하는 까다로운 조건 속에서도 고객이 체감할 수 있는 수준의 성능 향상을 위한 기술 리더십을 발휘해 왔다. 특히, LPDDR5 개발 과정에서는 D램에 HKMG 공정을 성공적으로 적용해 업계의 주목을 받기도 했다. 이 기술은 기존 대비 성능과 전력 효율을 동시에 개선할 수 있는 공정으로, SK하이닉스 메모리 제품의 경쟁력을 획기적으로 끌어올리는 데 이바지했다.

차 CTO는 "현재의 테크 플랫폼을 적용한 미세 공정은 점차 성능과 용량을 개선하기 어려운 국면에 접어들고 있다"며, "이를 극복하기 위해 10나노 이하에서 구조와 소재, 구성 요소의 혁신을 바탕으로 4F² VG 플랫폼과 3D D램 기술을 준비해 기술적 한계를 돌파하겠다"고 밝혔다. 차 CTO는 4F² VG와 함께 3D D램도 차세대 D램 기술의 핵심 축으로 제시했다. 아울러 구조적 혁신을 넘어, 핵심 소재와 D램 구성 요소 전반에 대한 기술 고도화를 추진해 새로운 성장 동력을 확보하고, 이를 통해 향후 30년간 D램 기술 진화를 지속할 수 있는 기반을 구축하겠다는 계획도 전했다. 이 자리에서 VG와 웨이퍼 본딩 기술을 적용해 D램의 전기적 특성을 확인한 최신 연구 결과도 공개할 예정이다.

회사는 이 곳에 HBM과 고용량 eSSD, LPCAMM2 등 AI 데이터센터와 온디바이스 AI 설루션 핵심 제품들을 전시한다. 아울러 회사가 쌓아온 기술 리더십과 혁신의 발자취를 소개하는 연혁 게시물도 함께 선보인다. 작년에 이어 올해 포럼에도 곽노정 대표이사 사장(CEO, Chief Executive Officer)과 김주선 AI Infra 사장(CMO, Chief Marketing Officer), 안현 개발총괄 사장(CDO, Chief Development Officer), 차선용 미래기술연구원장(CTO, Chief Technology Officer) 등 C레벨 경영진이 직접 참석해 초청 인재들과 교류에 나선다. 안 CDO는 차세대 메모리 기술과 제품 개발 로드맵에 대해 소개할 예정이다

회사 관계자는 "모바일에서 온디바이스 AI를 안정적으로 구현하려면 탑재되는 낸드 솔루션 제품 역시 고성능과 저전력 특성을 고루 갖춰야 한다"며 "AI 워크로드에 최적화된 UFS 4.1 기반 제품을 통해 플래그십 스마트폰 시장에서도 메모리 리더십을 선도하겠다"고 말했다. 최근 온디바이스 AI 수요가 증가하며 기기의 연산 성능과 배터리 효율 간 균형이 중요해지고 있어, 모바일 기기의 얇은 두께와 저전력 특성은 업계 표준으로 자리잡고 있다. 이러한 흐름에 맞춰 회사는 이번 제품의 전력 효율을 이전 세대인 238단 낸드 플래시 기반 제품 대비 7% 개선했다. 모바일 기기의 멀티태스킹 능력을 좌우하는 랜덤(Random) 읽기와 쓰기 속도도 이전 세대 대비 각각 15%, 40% 향상돼 현존하는 UFS4.1 제품에서 세계 최고 성능을 달성했다.

이 과정에서 JEDEC이 정하는 메모리 기술 표준화를 비롯해, HBM과 차세대 메모리 등 300여 건의 특허를 출원·등록했다. 송 TL은 "조만간 고객사가 원하는 특성을 강화한 커스텀 HBM 시대가 본격화할 것이라 생각한다"며 "이는 단순히 제품 성능을 높이는 차원을 넘어, 메모리와 로직(Logic) 반도체 간 경계를 재정의하는 작업"이라고 설명했다. 이와 관련해 송 TL은 HBM과 로직 반도체를 이어주는 베이스 다이(Base-die)에 고속 동작 기능과 LPDDR 등 이종 메모리의 접근을 가능케 해주는 신개념 인터페이스를 도입하고, 메모리 컨트롤러와 전력 제어 기술 등 다양한 기능을 추가할 수 있는 특허를 출원했다. 또, 그는 차세대 HBM 대역폭을 증대시키는 기술을 제안해 제품 성능을 더 끌어 올릴 수 있는 가능성을 높였다. 반도체 산업의 경쟁이 치열해질수록 특허의 중요성은 더욱 커지고 있으며, 이를 확보하는 것은 단순히 SK하이닉스의 이익을 넘어 대한민국의 기술 주권을 지키는 일이라고 생각한다"며 "이번 동탑산업훈장 수상을 통해 그동안 우리가 해온 노력이 절대 헛되지 않았음을 인정받아 매우 뜻깊고 기쁘다.